MOSFET Vishay IRFD024PBF, VDSS 60 V, ID 2,5 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

Código de producto RS: 541-0525Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFD024PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

HVMDIP

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Profundidad

6.29mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

3.37mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 2.075

Each (Sin IVA)

$ 2.469

Each (IVA Incluido)

MOSFET Vishay IRFD024PBF, VDSS 60 V, ID 2,5 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 2.075
2$ 4.150
3$ 6.225
4$ 8.300
5$ 10.375
6$ 12.450
7$ 14.525
8$ 16.600
9$ 18.675
10$ 20.750
11$ 22.825
12$ 24.900
13$ 26.975
14$ 29.050
15$ 31.125

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6$ 12.450
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N

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Profundidad

6.29mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Altura

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