MOSFET Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, 1212 de 8 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 178-3694Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SISC06DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

1212

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

46.3 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

38,5 nC a 10 V

Ancho

3.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.7V

Altura

1.07mm

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, 1212 de 8 pines, 2elementos, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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15000P.O.A.
18000P.O.A.
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N

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Serie

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

1212

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

46.3 W

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-16 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

38,5 nC a 10 V

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