Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
40.5mm
Profundidad
4.8mm
Material del transistor
Si
Series
TK
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
19mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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$ 5.318
Each (Sin IVA)
$ 6.328
Each (IVA Inc.)
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 5.318 |
10 - 19 | $ 3.901 |
20+ | $ 3.769 |
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Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
40.5mm
Profundidad
4.8mm
Material del transistor
Si
Series
TK
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
19mm
País de Origen
Japan
Datos del producto