Transistor MOSFET Toshiba TK100A10N1,S4X(S, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220SIS

Código de producto RS: 827-6094Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK100A10N1,S4X(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220SIS

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,8 mΩ

Disipación de Potencia Máxima

45000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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3,8 mΩ

Disipación de Potencia Máxima

45000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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