Diodo TVS Bidireccional, TPD1E10B09DPYR, 90W, X2SON, 2-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
17V
Tensión Mínima de Ruptura
±9.5V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
X2SON
Tensión de Corte Inversa Máxima
9V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
90W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
4.5A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.1 x 0.7 x 0.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Longitud:
1.1mm
Altura
0.4mm
Ancho
0.7mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Protección contra descargas electrostáticas (ESD), Texas Instruments
Protección ESD integrada
Protección contra sobretensión (OVP)
Protección contra sobrecorriente (OCP)
Conmutador de límite de carga de corriente
Registro de desplazamiento controlado por tensión
Protección contra EMI
Diodos TVS de alto rendimiento
Baja capacitancia
Corriente de fugas baja
Encapsulados ultra pequeños
Alta tensión
Alta protección IEC
Interfaz (TPD4EUSB30DQAR) USB 3.0 superrápida (6 Gbps) con protección contra transitorios y ESD de 4 canales
Transient Voltage Suppressors, Texas Instruments
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P.O.A.
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Single
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Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
X2SON
Tensión de Corte Inversa Máxima
9V
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2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
90W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
4.5A
Protección ESD
Yes
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1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.1 x 0.7 x 0.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Longitud:
1.1mm
Altura
0.4mm
Ancho
0.7mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Protección contra descargas electrostáticas (ESD), Texas Instruments
Protección ESD integrada
Protección contra sobretensión (OVP)
Protección contra sobrecorriente (OCP)
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Registro de desplazamiento controlado por tensión
Protección contra EMI
Diodos TVS de alto rendimiento
Baja capacitancia
Corriente de fugas baja
Encapsulados ultra pequeños
Alta tensión
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