Amplificador operacional TLV9002IDR Operacional doble, Máximo de 5,5 V 1MHZ Rail to Rail SOIC, 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Amplificador
Dual Operational
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Fuente de Alimentación
Single
Número de Canales por Chip
1
Conteo de Pines
8
Tensión de Alimentación Única Típica
Máximo de 5,5 V
Producto de Ancho de Banda de Ganancia Típica
1MHz
Output Type
Raíl a Raíl
Slew Rate Típico
2V/µs
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión Máxima de Entrada
5.5 V
Typical Voltage Gain
130 dB
Output Current
±40 mA
Offset Voltage
±1.6mV
Tensión de Entrada Mínima
1.8 V
Densidad Típica de Ruido de Tensión de Entrada
30nV/√Hz
Longitud:
4.9mm
Altura
1.75mm
Profundidad
3.9mm
Rango de tensión de entrada
1.8 → 5.5 V
Corriente de offset de entrada
2pA
Dimensiones del Cuerpo
4.9 x 3.9 x 1.75mm
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Amplificador
Dual Operational
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Fuente de Alimentación
Single
Número de Canales por Chip
1
Conteo de Pines
8
Tensión de Alimentación Única Típica
Máximo de 5,5 V
Producto de Ancho de Banda de Ganancia Típica
1MHz
Output Type
Raíl a Raíl
Slew Rate Típico
2V/µs
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Tensión Máxima de Entrada
5.5 V
Typical Voltage Gain
130 dB
Output Current
±40 mA
Offset Voltage
±1.6mV
Tensión de Entrada Mínima
1.8 V
Densidad Típica de Ruido de Tensión de Entrada
30nV/√Hz
Longitud:
4.9mm
Altura
1.75mm
Profundidad
3.9mm
Rango de tensión de entrada
1.8 → 5.5 V
Corriente de offset de entrada
2pA
Dimensiones del Cuerpo
4.9 x 3.9 x 1.75mm