Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Serie
FemtoFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,04 nC a 4,5 V
Ancho
0.64mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.35mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 752
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 894,88
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
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20
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
20 - 20 | $ 752 | $ 15.040 |
40 - 80 | $ 732 | $ 14.640 |
100 - 480 | $ 713 | $ 14.260 |
500 - 980 | $ 695 | $ 13.900 |
1000+ | $ 678 | $ 13.560 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Serie
FemtoFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,04 nC a 4,5 V
Ancho
0.64mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.35mm
Datos del producto