Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 377
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 448,63
Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
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$ 448,63
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Estándar
10
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto