Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 378
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 449,82
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
$ 378
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 449,82
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Serie
NexFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto