MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG, VDSS 600 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.13V
Altura
2.28mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 649
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 772,31
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
$ 649
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 772,31
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.13V
Altura
2.28mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C