MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2308CX RFG, VDSS 60 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
192 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,99 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 913
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 1.086,47
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 1.086,47
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
50 - 200 | $ 913 | $ 45.650 |
250 - 450 | $ 888 | $ 44.400 |
500 - 950 | $ 866 | $ 43.300 |
1000+ | $ 844 | $ 42.200 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
192 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,99 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C