Transistor Darlington, TIP121, NPN 5 A, 80 V, HFE:1000, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Altura
9.15mm
Profundidad
4.6mm
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.4mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 752
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 894,88
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 752 | $ 37.600 |
| 100 - 450 | $ 530 | $ 26.500 |
| 500 - 950 | $ 438 | $ 21.900 |
| 1000 - 1950 | $ 355 | $ 17.750 |
| 2000+ | $ 301 | $ 15.050 |
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
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0.2mA
Altura
9.15mm
Profundidad
4.6mm
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