Diodo de conmutación, STTH806G-TR, 8A, 600V Conexión de silicio, D2PAK (TO-263), 3-Pines 1.85V

Código de producto RS: 795-9117PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STTH806G-TR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Configuración de diodo

Single

Corriente Máxima Directa

8A

Número de Elementos por Chip

1

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tensión Inversa Máxima

600V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Conteo de Pines

3

Caída de tensión directa máxima

1.85V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.4mm

Profundidad

9.35mm

Altura

4.6mm

Dimensiones del Cuerpo

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Datos del producto

Diodos rectificadores, 4 A a 9 A, STMicroelectronics

Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics

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P.O.A.

Diodo de conmutación, STTH806G-TR, 8A, 600V Conexión de silicio, D2PAK (TO-263), 3-Pines 1.85V
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

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Tensión Inversa Máxima

600V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Conteo de Pines

3

Caída de tensión directa máxima

1.85V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.4mm

Profundidad

9.35mm

Altura

4.6mm

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