MOSFET STMicroelectronics STS6NF20V, VDSS 20 V, ID 6 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,045 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 4,5 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1.25mm
Serie
STripFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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$ 364
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 433,16
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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N
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,045 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
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Profundidad
4mm
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