MOSFET STMicroelectronics STR2N2VH5, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 791-7876PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STR2N2VH5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Serie

STripFET V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6 nC a 4,5 V

Profundidad

1.75mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.3mm

Datos del producto

STripFET™ V de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

MOSFET STMicroelectronics STR2N2VH5, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Tipo de montaje

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3

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40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

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Single

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±8 V

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Material del transistor

Si

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