Transistor MOSFET STMicroelectronics STP26N60DM6, ID 15 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 192-4925Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP26N60DM6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

195 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24 nC a 10 V

Profundidad

4.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

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$ 4.982

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 5.928,58

Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)

Transistor MOSFET STMicroelectronics STP26N60DM6, ID 15 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 9.964
4$ 19.928
6$ 29.892
8$ 39.856
10$ 46.830
12$ 56.196
14$ 65.562
16$ 74.928
18$ 84.294
20$ 88.680
22$ 97.548
24$ 106.416
26$ 115.284
28$ 124.152
30$ 133.020

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12$ 56.196
14$ 65.562
16$ 74.928
18$ 84.294
20$ 88.680
22$ 97.548
24$ 106.416
26$ 115.284
28$ 124.152
30$ 133.020

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 8$ 4.982$ 9.964
10 - 18$ 4.683$ 9.366
20 - 48$ 4.434$ 8.868
50 - 98$ 4.193$ 8.386
100+$ 3.989$ 7.978

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N

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3

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195 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.4mm

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24 nC a 10 V

Profundidad

4.6mm

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1

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