Transistor MOSFET STMicroelectronics STL26N60DM6, VDSS 600 V, ID 15 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 192-4882Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL26N60DM6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 8 x 8 HV

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

215 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Ancho

8.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

8.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24 nC a 10 V

Altura

0.9mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

País de Origen

China

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$ 4.512

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 5.369,28

Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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25 - 45$ 4.240$ 21.200
50 - 120$ 4.015$ 20.075
125 - 245$ 3.784$ 18.920
250+$ 3.615$ 18.075

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Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 8 x 8 HV

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

215 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Ancho

8.1mm

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

8.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24 nC a 10 V

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