MOSFET STMicroelectronics STL140N4F7AG, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT
Serie
STripFET F7
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
111000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Ancho
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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N
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40 V
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PowerFLAT
Serie
STripFET F7
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
111000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Ancho
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
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