IGBT, STGW8M120DF3, N-Canal, 16 A a +25 °C, 1.200 V, TO, 3-Pines, 1MHZ 1 Simple

Código de producto RS: 165-3259Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGW8M120DF3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

16 A a +25 °C

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Tipo de Encapsulado

TO

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Capacitancia de puerta

542pF

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

1.24mJ

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Corriente Máxima Continua del Colector

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Tensión Máxima Colector-Emisor

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±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Tipo de Encapsulado

TO

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Capacitancia de puerta

542pF

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