Transistor MOSFET STMicroelectronics STB45N30M5, ID 53 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
53 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
9.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
95 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.37mm
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
China
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$ 6.342
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 7.546,98
Each (On a Reel of 1000) (IVA Incluido)
1000
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N
Maximum Continuous Drain Current
53 A
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
9.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
95 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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