MOSFET STMicroelectronics SCTW90N65G2V, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247 de 3 pines

Código de producto RS: 201-0887Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTW90N65G2V
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

119 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

Hip247

Serie

SCTW90

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,024 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

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Tipo de Canal

N

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119 A

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Serie

SCTW90

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,024 Ω

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

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