Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

Código de producto RS: 202-5487Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SCTW35N65G2VAG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Series

SCT

Tipo de Encapsulado

Hip247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.055 Ω

Modo de Canal

Depletion

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

SiC

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$ 19.085

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 22.711,15

Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 572.550
60$ 1.145.100
90$ 1.717.650
120$ 2.290.200
150$ 2.862.750
180$ 3.435.300
210$ 4.007.850
240$ 4.580.400
270$ 5.152.950
300$ 5.725.500
330$ 6.298.050
360$ 6.870.600
390$ 7.443.150
420$ 8.015.700
450$ 8.588.250

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N

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45 A

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SCT

Tipo de Encapsulado

Hip247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.055 Ω

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