Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
180000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
9
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
500 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones
20.3 x 15.9 x 5.3mm
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 14.061
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 16.732,59
Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)
30
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30
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NPN
Corriente DC Máxima del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
180000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
9
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
500 V
Tensión Máxima Emisor-Base
7 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones
20.3 x 15.9 x 5.3mm
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.