Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
12 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 16.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
12 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
10.4 x 4.6 x 16.4mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V