Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
20 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
140 V
Tipo de Encapsulado
TO
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
60
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
20 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 20.1mm
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
20 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
140 V
Tipo de Encapsulado
TO
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
60
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
200 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
20 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 20.1mm