Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
1,1 kA
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
20V
Tipo de Encapsulado
SEMiX®3p
Configuration
Series
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
11
Transistor Configuration
Series
Dimensiones del Cuerpo
150 x 62.4 x 17mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Datos del producto
Módulos IGBT dobles SEMiX®
Módulos IGBT dobles de Semikron en encapsulados modernos de perfil bajo SEMiX® apropiados para aplicaciones de control de potencia de medio puente. Los módulos utilizan resortes sin soldaduras o contactos de encaje a presión para permitir el montaje de un controlador de puerta directamente encima del módulo, con lo que se ahorra espacio y se ofrece una fiabilidad de conexión mayor. Las aplicaciones típicas incluyen dispositivos inversores de ca, SAI, soldadura de componentes electrónicos y sistemas de energía renovable.
Para ver los módulos controladores de puerta de encaje a presión, consulte de 122-0385 a 122-0387
Encapsulado de montaje sin soldaduras y de perfil bajo
IGBT con tecnología Trenchgate
La VCE(sat) tiene un coeficiente de temperatura positivo
Capacidad de corriente de cortocircuito alta
Contactos de encaje a presión como contactos auxiliares
Homologación UL
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 384.433
Each (Sin IVA)
$ 457.475
Each (IVA Incluido)
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SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
1,1 kA
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
20V
Tipo de Encapsulado
SEMiX®3p
Configuration
Series
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
11
Transistor Configuration
Series
Dimensiones del Cuerpo
150 x 62.4 x 17mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
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Datos del producto
Módulos IGBT dobles SEMiX®
Módulos IGBT dobles de Semikron en encapsulados modernos de perfil bajo SEMiX® apropiados para aplicaciones de control de potencia de medio puente. Los módulos utilizan resortes sin soldaduras o contactos de encaje a presión para permitir el montaje de un controlador de puerta directamente encima del módulo, con lo que se ahorra espacio y se ofrece una fiabilidad de conexión mayor. Las aplicaciones típicas incluyen dispositivos inversores de ca, SAI, soldadura de componentes electrónicos y sistemas de energía renovable.
Para ver los módulos controladores de puerta de encaje a presión, consulte de 122-0385 a 122-0387
Encapsulado de montaje sin soldaduras y de perfil bajo
IGBT con tecnología Trenchgate
La VCE(sat) tiene un coeficiente de temperatura positivo
Capacidad de corriente de cortocircuito alta
Contactos de encaje a presión como contactos auxiliares
Homologación UL
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.