MOSFET ROHM RQ6C050UNTR, VDSS 20 V, ID 5 A, TSMT-6 de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 177-6585Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RQ6C050UNTR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Serie

RQ6C050UN

Tipo de Encapsulado

TSMT-6

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Profundidad

1.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 4,5 V

Altura

0.95mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Thailand

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$ 441

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 524,79

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET ROHM RQ6C050UNTR, VDSS 20 V, ID 5 A, TSMT-6 de 6 pines, config. Simple

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 8.820
40$ 17.640
60$ 26.460
80$ 35.280
100$ 44.100
120$ 52.920
140$ 61.740
160$ 70.560
180$ 79.380
200$ 88.200
220$ 97.020
240$ 105.840
260$ 114.660
280$ 123.480
300$ 132.300

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100$ 44.100
120$ 52.920
140$ 61.740
160$ 70.560
180$ 79.380
200$ 88.200
220$ 97.020
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N

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Tipo de montaje

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6

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30 m.Ω

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

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Single

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±10 V

Profundidad

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1

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+150 ºC

Longitud

3mm

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