MOSFET ROHM QS6U24TR, VDSS 30 V, ID 1 A, TSMT de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-5898Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: QS6U24TR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

QS6U24

Tipo de Encapsulado

TSMT

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

800 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

900 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,7 nC a 5 V (canal N)

Altura

0.95mm

País de Origen

Thailand

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P.O.A.

MOSFET ROHM QS6U24TR, VDSS 30 V, ID 1 A, TSMT de 6 pines, config. Simple

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

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P

Maximum Continuous Drain Current

1 A

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Serie

QS6U24

Tipo de Encapsulado

TSMT

Tipo de montaje

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Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

800 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

900 mW

Transistor Configuration

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.8mm

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1

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