MOSFET Panasonic MTM761110LBF, VDSS 12 V, ID 4 A, WSMini6-F1-B de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 169-7838Marca: PanasonicNúmero de parte de fabricante: MTM761110LBF
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Panasonic

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

WSMini6-F1-B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

54 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

2mm

Altura

0.6mm

Serie

MTM

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

MOSFET Panasonic MTM761110LBF, VDSS 12 V, ID 4 A, WSMini6-F1-B de 6 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

MOSFET Panasonic MTM761110LBF, VDSS 12 V, ID 4 A, WSMini6-F1-B de 6 pines, config. Simple
Volver a intentar más tarde

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Panasonic

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

WSMini6-F1-B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

54 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

2mm

Altura

0.6mm

Serie

MTM

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más