Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
Smini3-G1-B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Profundidad
1.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2mm
Altura
0.9mm
Serie
MTM
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
PanasonicTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
Smini3-G1-B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Profundidad
1.25mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2mm
Altura
0.9mm
Serie
MTM
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto