MOSFET Panasonic MTM231102LBF, VDSS 12 V, ID 4 A, Smini3-G1-B de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 169-8019Marca: PanasonicNúmero de parte de fabricante: MTM231102LBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Panasonic

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

Smini3-G1-B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.25mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Largo

2mm

Altura

0.8mm

Serie

MTM

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal P, Panasonic

MOSFET Transistors, Panasonic

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P.O.A.

MOSFET Panasonic MTM231102LBF, VDSS 12 V, ID 4 A, Smini3-G1-B de 3 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

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Panasonic

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P

Maximum Continuous Drain Current

4.0 A

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12 V

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Smini3-G1-B

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.25mm

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Largo

2mm

Altura

0.8mm

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MTM

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