Fototransistor NPN Osram Opto de amplio espectro, rango onda λ 350 → 950 nm, corriente Ic 20mA, mont. SMD, SMD
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo, Ultravioleta, Luz Visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Number of Channels
1
Maximum Light Current
12.5µA
Corriente de Oscuridad Máxima
3nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
SMD
Dimensiones del Cuerpo
2.1 x 1.35 x 0.9mm
Corriente del Colector
20mA
Rango Espectral de Sensibilidad
350 → 950 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
950nm
Longitud
2.1mm
Ancho
1.35mm
Altura
0.9mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
Adaptado a la sensibilidad del ojo humano (Vλ)
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
20
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Corriente de Oscuridad Máxima
3nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
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Corriente del Colector
20mA
Rango Espectral de Sensibilidad
350 → 950 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
950nm
Longitud
2.1mm
Ancho
1.35mm
Altura
0.9mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
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