Fototransistor NPN Osram Opto sensible a IR, rango onda λ 850 → 1100 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante,
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
9µs
Typical Rise Time
7µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
400µA
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
28 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
Side Looker
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 2.2 x 4.1mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
850nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Rango Espectral de Sensibilidad
850 → 1100 nm
Longitud:
3.1mm
Ancho
2.2mm
Altura
4.1mm
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado de recepción lateral
SFH 3100 F, de OSRAM Opto Semiconductor, es un fototransistor NPN de silicio en un encapsulado de recepción lateral. Se suministra en un encapsulado de orificio pasante de recepción lateral (SL). Tiene una lente negra para filtro diurno. El SFH 3100 F se ha diseñado para aplicaciones con una longitud de onda de 840 a 1.080 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas destacan: detectores de fotointerruptores, detección de final de cinta, transmisión de datos, detección de posición, lector de código de barras, contadores de monedas y circuitos de accionamiento/control.
Características del fototransistor SFH 3100 F:
Encapsulado de recepción lateral (SL)
Montaje de orificio pasante
Filtro de luz del día
Medio ángulo estrecho
Encapsulado compacto
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
10
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9µs
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Maximum Light Current
400µA
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
28 °
Polarity
NPN
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Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
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Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 2.2 x 4.1mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
850nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Rango Espectral de Sensibilidad
850 → 1100 nm
Longitud:
3.1mm
Ancho
2.2mm
Altura
4.1mm
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Fototransistor con encapsulado de recepción lateral
SFH 3100 F, de OSRAM Opto Semiconductor, es un fototransistor NPN de silicio en un encapsulado de recepción lateral. Se suministra en un encapsulado de orificio pasante de recepción lateral (SL). Tiene una lente negra para filtro diurno. El SFH 3100 F se ha diseñado para aplicaciones con una longitud de onda de 840 a 1.080 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas destacan: detectores de fotointerruptores, detección de final de cinta, transmisión de datos, detección de posición, lector de código de barras, contadores de monedas y circuitos de accionamiento/control.
Características del fototransistor SFH 3100 F:
Encapsulado de recepción lateral (SL)
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