MOSFET onsemi VEC2616-TL-W, VDSS 60 V, ID 2,5 A, 3 A, SOT-28FL, VEC8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A, 3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-28FL, VEC8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
116 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Ancho
2.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
0.73mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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SOT-28FL, VEC8
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Surface Mount
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116 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Ancho
2.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
0.73mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
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