Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223 (SC-73)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
4 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3 + Tab
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223 (SC-73)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
4 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3 + Tab
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.