Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STGOS, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

Código de producto RS: 195-8771Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NXH100B120H3Q0STG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

186 W

Tipo de Encapsulado

Q0BOOST

Configuration

Dual

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

22

Transistor Configuration

Dual

Dimensiones del Cuerpo

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-40 ºC

Ancho

32.8mm

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$ 92.087

Each (Sin IVA)

$ 109.584

Each (IVA Incluido)

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1200 V

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Disipación de Potencia Máxima

186 W

Tipo de Encapsulado

Q0BOOST

Configuration

Dual

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

22

Transistor Configuration

Dual

Dimensiones del Cuerpo

66.2 x 32.8 x 11.9mm

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