MOSFET onsemi NVMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi NVMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1784308
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 178-4308Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMFS6H801NT1G

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

166000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

64 nC a 10 V

Ancho

6.1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

País de Origen

Malaysia

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$ 1.661

Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)

$ 1.976,59

Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)

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1500

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

166000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

64 nC a 10 V

Ancho

6.1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.05mm

País de Origen

Malaysia