MOSFET onsemi NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

Name: MOSFET onsemi NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble
Brand: onsemi
SKU: 1952555
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 195-2555Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMFD6H852NLWFT1G

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Dual

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Longitud

6.1mm

Profundidad

5.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Altura

1.05mm

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$ 768

Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)

$ 913,92

Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)

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1500

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Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Dual

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Longitud

6.1mm

Profundidad

5.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Altura

1.05mm