MOSFET onsemi NTR4501NG, VDSS 20 V, ID 3.2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 511
Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 608,09
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 58 | $ 511 | $ 1.022 |
| 60 - 118 | $ 482 | $ 964 |
| 120 - 198 | $ 409 | $ 818 |
| 200 - 498 | $ 387 | $ 774 |
| 500+ | $ 373 | $ 746 |
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N
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3.2 A
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
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