MOSFET onsemi NTR4171PG, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 478
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 568,82
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25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 25 | $ 478 | $ 11.950 |
| 50 - 100 | $ 466 | $ 11.650 |
| 125 - 225 | $ 453 | $ 11.325 |
| 250 - 475 | $ 443 | $ 11.075 |
| 500+ | $ 430 | $ 10.750 |
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P
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Material del transistor
Si
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1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,6 nC a 10 V, 7,4 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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