MOSFET onsemi NTR1P02G, VDSS 20 V, ID 1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 688-9143Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTR1P02T1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.3mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,5 nC a 5 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.94mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 241

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 286,79

Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTR1P02G, VDSS 20 V, ID 1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 482
4$ 964
6$ 1.446
8$ 1.928
10$ 2.410
12$ 2.892
14$ 3.374
16$ 3.856
18$ 4.338
20$ 4.820
22$ 5.302
24$ 5.784
26$ 6.266
28$ 6.748
30$ 7.230

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12$ 2.892
14$ 3.374
16$ 3.856
18$ 4.338
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24$ 5.784
26$ 6.266
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 98$ 241$ 482
100 - 198$ 234$ 468
200 - 498$ 190$ 380
500 - 998$ 183$ 366
1000+$ 168$ 336

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P

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.3mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

2.9mm

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2,5 nC a 5 V

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