Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
313 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
143 a 10 V NC
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 3.179
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 3.783,01
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 3.179
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 3.783,01
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
313 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 μΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
167000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
143 a 10 V NC
Altura
0.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V