MOSFET onsemi NTMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 172-8974Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMFS6H800NT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

203 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

85 nC a 10 V

Profundidad

5.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.1mm

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$ 7.445

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 8.859,55

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 37.225
10$ 63.350
15$ 95.025
20$ 126.700
25$ 158.375
30$ 190.050
35$ 221.725
40$ 253.400
45$ 285.075
50$ 316.750
55$ 348.425
60$ 380.100
65$ 411.775
70$ 443.450
75$ 475.125

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5

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10$ 63.350
15$ 95.025
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25$ 158.375
30$ 190.050
35$ 221.725
40$ 253.400
45$ 285.075
50$ 316.750
55$ 348.425
60$ 380.100
65$ 411.775
70$ 443.450
75$ 475.125

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 5$ 7.445$ 37.225
10 - 95$ 6.335$ 31.675
100 - 245$ 5.070$ 25.350
250 - 495$ 4.772$ 23.860
500+$ 4.503$ 22.515

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N

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.1mm

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