AEC-Q101 Diodo, NRVTSA4100E, Rectificador Schottky, 4A, 100V Barrera Schottky, DO-214AC (SMA), 2-Pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-214AC (SMA)
Corriente Continua Máxima Directa
4A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
100V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Rectificador Schottky
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
2
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Barrera Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
150A
Datos del producto
On Semiconductor Diodos de barrera Schottky
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
• Sin Pb
• Diseñado para un montaje de placa automatizado óptimo
• Protección contra el estrés
• Caja moldeada con epoxi
• Paquete ligero de 11,7mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
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$ 622
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 740,18
Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | $ 622 | $ 15.550 |
| 100+ | $ 336 | $ 8.400 |
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Schottky
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2
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1
Tecnología de diodo
Barrera Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
150A
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On Semiconductor Diodos de barrera Schottky
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
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