Transistor Darlington, MMBTA13LG, NPN 300 mA, 30 V, HFE:20000, SOT-23 (TO-236, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
300 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
100nA
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
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$ 42
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 49,98
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 42 | $ 126.000 |
| 6000+ | $ 39 | $ 117.000 |
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Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
20000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
100nA
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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