Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
50 to 150mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.94mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 462
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 549,78
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 462 | $ 2.310 |
50 - 95 | $ 438 | $ 2.190 |
100 - 245 | $ 371 | $ 1.855 |
250 - 495 | $ 345 | $ 1.725 |
500+ | $ 318 | $ 1.590 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
50 to 150mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.94mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.