Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
150 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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$ 79
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 94,01
Each (On a Reel of 2000) (IVA Inc.)
2000
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Each (On a Reel of 2000) (IVA Inc.)
2000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
2000 - 2000 | $ 79 | $ 158.000 |
4000+ | $ 75 | $ 150.000 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
150 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.