MOSFET onsemi HUF75639P3, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 124-1674Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: HUF75639P3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Series

UltraFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

25 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

4.83mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

110 nC a 20 V

Altura

9.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 1.442

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 1.715,98

Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

25 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

4.83mm

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

110 nC a 20 V

Altura

9.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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