IGBT, FGA30S120P, N-Canal, 60 A, 1300 V, TO-3PN, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1300 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Disipación de Potencia Máxima
348 W
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 20.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 7.117
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 8.469,23
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|---|---|---|
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| 60+ | $ 6.688 | $ 200.640 |
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Disipación de Potencia Máxima
348 W
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
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Tipo de Canal
N
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3
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Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 20.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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