Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TO-252
Corriente Continua Máxima Directa
22.5A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1200V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Diodo Schottky
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
530A
País de Origen
China
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P.O.A.
1
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1
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Brand
onsemiTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TO-252
Corriente Continua Máxima Directa
22.5A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1200V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Diodo Schottky
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
530A
País de Origen
China